采用电容降压时应注意的几点
2024-06-101、根据负载的电流大小和交流电的工作频率选取适当的电容，而不是依据负载的电压和功率。 2、限流电容必须采用无极性电容，绝对不能采用电解电容。而且电容的耐压须在400V以上。最理想的电容为铁壳油浸电容。 3、电容降压不能用于大功率条件，因为不安全。 4、电容降压不适合动态负载条件。 5、同样，电容降压不适合容性和感性负载。 6、当需要直流工作时，尽量采用半波整流。不建议采用桥式整流。而且要满足恒定负载的条件。 电路一 这一类的电路通常用于低成本取得非隔离的小电流电源。它的输出电压通常可在几伏到三
采用增加滤波器的方法来减少单片机噪声干扰
2024-06-10在电路板中，许多因素会增加“噪声（EMI/RFI）”干扰，从而可能损坏或干扰电子设备的功能。单片机如果受到噪声干扰，可能会导致单片机的程序出错，甚至引起事故发生。今天的汽车就是一个很好的例子，比如Wi-Fi、蓝牙、卫星无线电、GPS系统等等。为了减少这种噪声干扰，业界通常使用屏蔽罩和EMI滤波器来消除有害噪声。 但是现在，消除EMI/RFI的一些传统解决方案已不再足够。当电子设备接收到强大的电磁波时，电路中可能会感应到有害电流，从而导致意外操作或干扰预期的操作。EMI/RFI可以传导或辐射的形
台积电考虑在德国建晶圆厂采用合资模式
2024-05-084月14日据外媒消息，台积电计划在欧洲建厂的消息近日再度被传出并考虑采用合资模式。据知情人士透露，台积电将采用合资模式，并有可能选择德国作为其在欧洲的首座晶圆厂。此前，台积电已经宣布在美国和日本分别建设工厂。 在2011年，台积电已经在上海等地建立了晶圆代工厂，成为备受关注的亚洲芯片代工厂之一。而在2021年11月，台积电与索尼半导体解决方案公司在日本熊本县设立名为“日本先进半导体制造股份公司”的合资公司，计划投资70亿美元建设一座晶圆代工厂。同时，在次年2月份，台积电还宣布了日本电装公司入股
韩华VisioNexT与三星合作
2024-03-2512月8日，三星电子与韩华集团子公司VisioNexT达成合作，以扩大其4nm代工客户群。据悉，VisioNexT将向三星下订单生产4nm人工智能（AI）芯片，此举旨在为视觉AI领域带来突破。预计该芯片将于2024年上半年投产。 VisioNexT是一家专注于CCTV（闭路电视）监控摄像头芯片的IC设计公司，并已委托三星的代工厂进行制造。此次合作将包括在高性能AI半导体设计和工艺研发方面进行多年准备。通过与三星的合作，VisioNexT旨在成为第1家将视觉AI半导体导入4nm的公司。三星的4n
英飞凌采用TOLL封装650V SiC MOSFET
2024-02-13英飞凌采用TO无引线(TOLL)封装，开发出一款新型SiC Cool SiC MOSFET 650V。据称，该器件经过优化，在服务器SMPS、电信基础设施、储能系统、电池化成解决方案等应用中，其损耗低、可靠性高、易用性强。 Cool SiC 650V沟槽式功率SiC MOSFET拥有多种选择，可满足不同的应用。新系列采用符合JEDEC标准的TOLL封装，寄生电感低，从而可实现高开关频率、低开关损耗、良好热管理和自动化组装。 英飞凌表示，外形尺寸紧凑能有效利用电路板空间，使系统设计人员实现卓越的
2000VSiCM1H芯片半桥模块
2024-02-06新品 采用2000V SiC M1H芯片的 62mm半桥模块，最大规格2.6mΩ 2000V的62mm CoolSiC™ MOSFET半桥模块现已上市，有2.6mΩ和3.5mΩ两种规格。由于采用了M1H芯片技术，模块在 VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压窗口方面性能得到了改善。 这些模块还提供预涂导热界面材料（TIM）版本。 相关产品： ▪️ FF3MR20KM1H(P) 2.6mΩ， 2000V 62mm半桥模块 ▪️ FF4MR20KM1H(P) 3.5mΩ， 2000V 6
Microchip FPGA 和 SoC 解决方案协议栈加速
2024-02-05为智能边缘设计系统正面临前所未有的困难。市场窗口在缩小，新设计的成本和风险在上升，温度限制和可靠性成为双重优先事项，而对全生命周期安全性的需求也在不断增长。要满足这些同时出现的需求，需要即时掌握特殊技术和垂直市场的专业知识。没有时间从头开始。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布在其不断增长的中端FPGA和片上系统（SoC）支持系列产品中增加了九个新的技术和特定应用解决方案协议栈，涵盖工业边缘、智能嵌入式视觉和边缘通信。 Microchip FPGA业务